Виннипег - главная страница
  На главную
  О Виннипеге
 Новости Виннипега
 Новости Канады
 Новости в мире
 Новости технологий
 Новости автомира
 Иммиграция
 Экономика
 Медицина
 Транспорт
 Фотоальбом
 Доска Объявлений
 Желтые страницы
 Недвижимость
 Реклама на портале
 Форум

    

Новости Израиля

Покупка дома
                  
 
    










Рейтинг@Mail.ru



27-02-2006 10:38 | Технологии
Fujitsu создает энергонезависимую память нового типа - ReRAM

Компания Fujitsu представила первые результаты разработки нового типа энергонезависимой памяти с произвольным доступом - резистивной (resistive RAM, ReRAM).

Нацеленная на рынок встраиваемых приложений, новинка позиционируется как замена флэш-памяти. Коммерциализация разработки ожидается около 2010 года. Известно, что разработки в области ReRAM ведут также компании Intel, Spansion и Nippon Telegraph and Telephone (NTT).

Есть несколько причин, по которым Fujitsu отводит ReRAM место предполагаемой замены для встраиваемой памяти. Разработчик считает, что ReRAM сопоставима с флэш-памятью по энергопотреблению, времени чтения, площади ячейки и температуре техпроцесса. Напряжение питания и ток записи новой памяти находятся на уровне 1,8 В и 100 мкА, соответственно. Время чтения - 10 нс и менее. Размер ячейки не превышает по площади 8 единиц проектной нормы, температура процесса - 400°C и менее. По всем перечисленным параметрам другие альтернативные виды памяти (например, PRAM - память с использованием фазового состояния или MRAM - магниторезистивная) пока не могут конкурировать с флэш-памятью.

В то же время, ReRAM показывает высокую надежность при работе в условиях высокой температуры окружающей среды. Это может стать заметным преимуществом, если речь идет о применении, скажем, а автомобильной бортовой электронике - особенно привлекательном сегменте рынка встраиваемых приложений. Кроме того, компания надеется снизить стоимость производства, поскольку ReRAM можно встроить в логические схемы большой степени интеграции, добавив в процесс две дополнительные маски.

Принцип работы новой памяти строится на использовании "двоичного оксида" - оксида металла, скомпонованного из элементов двух типов. На первом этапе в пленке оксида (на снимке - TiOx) формируются токопроводящие волокна, имеющие низкое сопротивление (процесс "формирования") - для этого к ячейке прикладывают высокое напряжение. Во время работы, под действием напряжения, положительная сторона ячейки (к которой подведен положительный полюс) окисляется в ходе процесса "сброса" (записи логического "0"), так что сопротивление увеличивается. Процесс "установки" (записи логической "1") построен на том, что положительная сторона волокна восстанавливается под действием нагрева (джоулево тепло), что снова снижает его сопротивление.

0



Источник: iXBT
Версия для печати


Последние новости
17-08-2018 17:23 | Технологии
12% канадцев не пользуются интернетом и мобильной связью

07-08-2018 15:21 | Технологии
Samsung начинает производство новых твердотельных накопителей объемом 4 ТБ для ноутбуков

01-08-2018 17:13 | Технологии
В Канаде строят первый киберспортивный стадион

25-07-2018 16:43 | Технологии
Канадские ученые создали носитель памяти вместимостью на несколько порядков больше, чем у жесткого диска

28-06-2018 16:44 | Технологии
Китай испытывает дроны в виде живых птиц для слежки за жителями

04-05-2018 16:56 | Технологии
Канада находится на одном из последних мест по доступности беспроводного интернета

15-02-2018 18:32 | Технологии
В Израиле начали успешно выращивать кости в лаборатории

09-02-2018 19:09 | Технологии
Телефоны с поддержкой 5G могут появиться в следующем году

09-01-2018 17:51 | Технологии
На дорогах Онтарио вскоре могут появиться автомобили с автопилотом

22-12-2017 18:07 | Технологии
Apple признала, что делает старые iPhone медленнее

         © 2005-2008 VGroup Media   All Rights Reserved   info@winnipeg.ru    О владельце этого сайта